近(jin)年(nian)来(lai)，硅片(pian)产(chan)业(ye)发展迅(xun)速。硅片(pian)是(shi)(shi)(shi)制造晶(jing)体(ti)(ti)管和集(ji)成(cheng)电路的(de)(de)(de)原材(cai)料(liao)。换句话(hua)而(er)言，就是(shi)(shi)(shi)硅片(pian)是(shi)(shi)(shi)芯片(pian)制造的(de)(de)(de)原材(cai)料(liao)。通常是(shi)(shi)(shi)晶(jing)硅的(de)(de)(de)切片(pian)，通过光刻和离子注入的(de)(de)(de)方法制成(cheng)各种半导体(ti)(ti)器件，是(shi)(shi)(shi)半导体(ti)(ti)工(gong)业(ye)中(zhong)重要的(de)(de)(de)原材(cai)料(liao)。随着硅片(pian)工(gong)业(ye)的(de)(de)(de)蓬勃发展，环(huan)境污染(ran)(ran)问题(ti)随之而(er)来(lai)，产(chan)生(sheng)了大量(liang)的(de)(de)(de)废(fei)(fei)水(shui)(shui)。生(sheng)产(chan)废(fei)(fei)水(shui)(shui)主(zhu)要来(lai)自多晶(jing)硅锭切片(pian)过程的(de)(de)(de)清(qing)洗环(huan)节。多晶(jing)硅锭经混酸(suan)表面处理后，在(zai)清(qing)洗过程中(zhong)产(chan)生(sheng)含(han)酸(suan)废(fei)(fei)水(shui)(shui)。由于表面处理是(shi)(shi)(shi)硝酸(suan)和氢氟(fu)酸(suan)的(de)(de)(de)混合酸(suan)，清(qing)洗废(fei)(fei)水(shui)(shui)中(zhong)的(de)(de)(de)主(zhu)要污染(ran)(ran)物(wu)是(shi)(shi)(shi)pH、氟(fu)化物(wu)和钙(gai)盐(yan)。

　　采用(yong)双级反(fan)渗(shen)透系统对清洗废水(shui)进行深度处理(li)(li)。通过预处理(li)(li)降低钙离(li)子和(he)氟离(li)子含量后(hou)，可(ke)满足(zu)超(chao)滤系统进水(shui)要求。废水(shui)进入(ru)超(chao)滤系统，超(chao)滤产水(shui)进入(ru)一级反(fan)渗(shen)透处理(li)(li)系统，产水(shui)进入(ru)产水(shui)箱，浓水(shui)进入(ru)二级反(fan)渗(shen)透系统进一步回收(shou)。

　　膜(mo)法硅(gui)片清洗废水处理工艺：

　　硅片(pian)清洗(xi)废水→预处理→超滤→一(yi)级反(fan)渗透→二级反(fan)渗透→产水

　　两(liang)级反(fan)(fan)渗(shen)透(tou)系统法回用硅片清(qing)洗废水中(zhong)醋酸的过程是纯物理常(chang)温操作工艺，无化(hua)学反(fan)(fan)应，能耗低(di)。整套反(fan)(fan)渗(shen)透(tou)系统可设计在(zai)线再生清(qing)洗排(pai)污装置，降(jiang)低(di)劳动强度(du)和生产成(cheng)本，提高(gao)生产效率(lv)。反(fan)(fan)渗(shen)透(tou)系统总(zong)回收(shou)率(lv)控制在(zai)75%左右，实现(xian)有效回收(shou)。膜元件填充面(mian)积大，系统占地(di)面(mian)积小(xiao)，便于技术改造、扩(kuo)建或新建项(xiang)目，降(jiang)低(di)了生产成(cheng)本和投资。